- [经典案例]IO口过压保护方案2019年11月08日 15:16
- 一.如图所示: 用到的保护器件为:瞬态抑制二极管TVS为SMB06J15B;ESD0524UA;下列是这款器件的性能介绍: SMBDO-214AA封装,专用瞬时电压的防护抑制,动态响应特性优异,一致性好,可过空气放电15KV,接触放电8KV的静电防护。功率在600W,单向和双向类型;薄型封装;优异的钳位电压能力,响应时间非常快,这是一些特性。应用用于敏感电子保护,防止电感负载切换和IC,MOSFET,消费电子,计算机,工业和电信传感器单元的信号线引起的电压瞬变。
- 阅读(1051)
相关搜索
热点聚焦
MOS管高频开关时,怎样减少功率损耗?-深圳阿赛姆
- 深度解析高频MOSFET损耗...
MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆
- 本文解析MOSFET过压击穿...
mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆
- 本文基于Infineon/ON Se...