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- [技术支持]PoE网口浪涌保护怎么做？数据线、供电路径和机壳地要分开看2026年09月05日 16:37
- PoE网口同时承载以太网数据和直流供电，浪涌保护不能照搬普通非PoE网口方案。设计时要分清线对、中心抽头或供电注入路径、隔离变压器两侧与屏蔽外壳的关系，再按共模或差模耦合选择保护级次。低电容ESD阵列负责高速信号瞬态，不能单独吸收所有电源浪涌能量。
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- [技术支持]24 V电源口TVS怎么布局？输入浪涌整改的回流路径2026年08月13日 17:43
- 24 V电源口的TVS布局决定浪涌电流是否能在进入控制电路前分流。本文以ASIM阿赛姆SMB06J24V参数为例，说明器件位置、保险丝前后、输入电容与芯片端残压怎样共同影响整改结果。
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- [行业动态]外接接口ESD二极管放哪里？入口、支路与回流比较2026年08月11日 11:01
- 外接接口ESD器件应靠近连接器放置，并用短、宽、连续的回流路径把放电电流引离敏感电路。，并保留波形、功能与布局边界，避免只凭目录参数替换，用于固定样机条件、测点和复测记录。
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- [行业动态]金属按键ESD测试复位怎么查？壳体放电与GPIO保护路径2026年08月08日 15:19
- 金属按键ESD后复位，电流可能经装饰帽、弹片、按键线和数字地进入主控。文章说明如何用绝缘与短接对比、复位原因和同步波形定位并完成分层整改，帮助区分欠压复位、RESET耦合和软件异常。
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- [技术支持]显示窗口ESD打死机怎么整改？塑料缝隙与空间场耦合2026年08月08日 15:14
- 静电打在塑料显示窗口后死机，常见路径包括边缘缝隙电弧、显示排线共模注入和空间场耦合。文章给出落点复现、同步测量、结构与电路分层整改方法，并补充显示模组、复位和主控状态的复测要点。
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- [公司新闻]MCU复位脚容易受ESD干扰怎么办？RC、监控芯片与PCB走线检查2026年08月04日 09:46
- MCU在ESD测试中复位，不应直接把复位脚电容加大。本文说明如何读取复位原因，检查RC、监控芯片、调试接口、电源和PCB耦合路径，并给出ASIM阿赛姆磁珠的使用边界。
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- [公司新闻]ESD整改为什么换了保护器件还是不过？放电路径、接地与器件位置排查2026年07月29日 18:02
- 更换ESD保护器件后整机仍不过，常见原因是瞬态电流绕过器件、回流支路电感过大或钳位窗口不匹配。本文结合ASIM阿赛姆型号参数，给出接口、接地和PCB路径的排查顺序。
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- [公司新闻]开关电源EMC设计完整指南：从拓扑选型到滤波器设计2026年06月05日 15:20
- 开关电源EMC设计如何做？本文系统讲解开关电源EMC噪声来源、不同拓扑（反激/LLC/半桥/全桥）EMC对比、PCB布局/变压器设计/吸收电路/EMI滤波器5个关键环节，配CE传导发射/RE辐射发射整改对照表，由阿赛姆EMC实验室整理。
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- [公司新闻]自恢复保险丝如何让你的电路"自愈"？过流保护新思路2026年03月31日 16:20
- 传统保险丝烧断了就得换，自恢复保险丝却能自动"愈合"。它是怎么做到的？什么场景下该用它而不是传统保险丝？本文揭秘PPTC的工作原理、优缺点对比，以及USB、电池、电机等典型场景的选型技巧。
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- [公司新闻]电源线路防护：功率耗散与降额设计2025年12月18日 15:49
- 从电网传导的雷击浪涌（差模2kV/共模4kV）、工业设备的负载切换瞬态到新能源汽车的电池系统波动，每一次威胁都携带焦耳级的能量。防护器件不仅要"扛住"瞬时冲击，更要在纳秒至毫秒级时间内将能量泄放，并将钳位电压控制在被保护电源芯片的耐压范围内。
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- [公司新闻]阿赛姆电子国产替代安世Nexperia TVS二极管方案2025年12月10日 14:27
- 在汽车电子、工业控制及高端消费电子领域，电路保护元器件的选择至关重要。TVS瞬态电压抑制二极管作为电源端口防护的第一道防线，其性能、可靠性与供应链稳定性直接关系到整个系统的安危。
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- [公司新闻]三极管三种工作模式解析：从放大到开关的完整控制逻辑与工程实现2025年11月20日 17:31
- 三极管作为双极型半导体器件的核心元件，其工作模式的精确控制直接决定了整个电路系统的性能边界。根据发射结与集电结偏置条件的不同组合，三极管呈现三种本质状态：截止状态、放大状态和饱和状态。
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- [行业动态]电脑主机ESD整改案例-ASIM阿赛姆2025年11月18日 16:01
- 在不影响功能情况下，选择比原主板上双向ESD二极管导通电压更低双向ESD二极管同样可以更快导通泄放异常高压，以及产生对后极电路影响更小的残压。且增加后级电路上电阻阻值来分压经过ESD二极管后产生的残压。
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- [公司新闻]雷卯替代-阿赛姆电子ESD成国产化首选2025年10月28日 09:37
- 在产品布局方面，阿赛姆电子形成了完善且高度适配的器件矩阵，涵盖ESD静电保护二极管、TVS瞬态电压抑制二极管、二三极管、MOS管、共模电感以及磁珠保险丝等主流器件类型。这些产品在核心性能参数上严格遵循行业标准，部分关键指标甚至实现超越，能够在不改变原有电路设计的前提下实现“pin-to-pin”完美兼容替换，大幅降低客户替代门槛与设计成本。
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- [公司新闻]高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办？-深圳阿赛姆2025年09月17日 15:29
- 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题！提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案，附4K摄像机整改实测数据。
- 阅读（129）
- [公司新闻]MOS管寄生电容过大？抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆2025年09月16日 15:28
- 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段，可降低开关损耗40%以上，提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中，优先考虑GaN或SiC器件（Coss降低80%），并采用开尔文布局控制回路电感至5nH以下。
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- [公司新闻]MOS管高频开关时，怎样减少功率损耗？-深圳阿赛姆2025年09月12日 16:24
- 深度解析高频MOSFET损耗构成（公式拆解+实测数据），提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
- 阅读（97）
- [公司新闻]MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆2025年09月11日 15:34
- 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制，基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量（EAS）的测试方法（单脉冲UIS电路）与设计规范，提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案，解决V(BR)DSS超限引发的寄生导通问题。
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- [公司新闻]mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆2025年09月10日 17:31
- 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式。涵盖开关电源与射频电路选型参数对照表，并附IRF540N/2N7002等型号实测曲线验证。
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- [公司新闻]超薄封装TVS在可穿戴设备应用-ASIM阿赛姆2025年09月06日 16:51
- 深度解析0.4×0.2×0.1mm超薄封装TVS二极管在可穿戴设备中的关键技术：0.05pF结电容保障生物传感器精度，＜0.05μA漏电流优化功耗，±30kV ESD防护能力（IEC 61000-4-2）。包含柔性电路3D堆叠策略、多端口协同防护方案及-40℃~85℃温度循环验证，满足IPC-9701弯折测试与AEC-Q101标准要求。
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