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- [ESD二极管]DFN-2510封装2016年05月11日 15:01
- 阅读（4088）
- [高分子ESD]DFN-10封装2016年04月19日 10:18
- 阅读（2702）
- [高分子ESD]0603封装2016年04月19日 10:17
- 阅读（3264）
- [高分子ESD]0805封装2016年04月19日 10:17
- 阅读（815）
- [ESD二极管]SOD323封装2016年04月15日 16:24
- 阅读（4854）
- [高分子ESD]0402封装2016年04月15日 16:10
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- [公司新闻]系统级ESD设计：分层防护与器件协同2025年12月17日 16:12
- 在现代电子系统中，ESD防护已从单一器件的"单打独斗"演进为多级协同的"体系作战"。面对USB4.0、PCIe 5.0等高速接口的静电威胁，以及汽车电子、工业控制等领域严苛的浪涌环境，仅靠一颗TVS二极管已无法提供可靠保护。实践证明，系统级ESD设计必须构建分层防护架构，实现器件间的精密协同，才能将失效率真正降低至ppm级别。
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- [公司新闻]阿赛姆电子国产替代安世Nexperia TVS二极管方案2025年12月10日 14:27
- 在汽车电子、工业控制及高端消费电子领域，电路保护元器件的选择至关重要。TVS瞬态电压抑制二极管作为电源端口防护的第一道防线，其性能、可靠性与供应链稳定性直接关系到整个系统的安危。
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- [行业动态]电脑主机ESD整改案例-ASIM阿赛姆2025年11月18日 16:01
- 在不影响功能情况下，选择比原主板上双向ESD二极管导通电压更低双向ESD二极管同样可以更快导通泄放异常高压，以及产生对后极电路影响更小的残压。且增加后级电路上电阻阻值来分压经过ESD二极管后产生的残压。
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- [公司新闻]雷卯替代-阿赛姆电子ESD成国产化首选2025年10月28日 09:37
- 在产品布局方面，阿赛姆电子形成了完善且高度适配的器件矩阵，涵盖ESD静电保护二极管、TVS瞬态电压抑制二极管、二三极管、MOS管、共模电感以及磁珠保险丝等主流器件类型。这些产品在核心性能参数上严格遵循行业标准，部分关键指标甚至实现超越，能够在不改变原有电路设计的前提下实现“pin-to-pin”完美兼容替换，大幅降低客户替代门槛与设计成本。
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- [公司新闻]阿赛姆ESD二极管选型应用大全2025年10月15日 14:18
- 阿赛姆ESD器件的核心优势在于：通过超低结电容设计（典型值≤0.05pF）与AEC-Q101车规级可靠性验证，在48Gbps高速接口中实现插入损耗＜-1.8dB@24GHz的同时，提供±30kV ESD防护能力，满足HDMI 2.1/IEC 61000-4-2严苛标准。
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- [行业动态]ESD管寄生电容，对共模电感效能有何干扰？-ASIM2025年10月10日 17:17
- ESD管寄生电容≥1pF时导致共模电感阻抗衰减31%（100MHz实测），阿赛姆0.3pF超低电容技术（DFN2510-10L）使共模阻抗提升62.7%，150MHz EMI抑制增强60.7%（45dB衰减），彻底解决高频滤波效能劣化问题。
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- [公司新闻]ESD管、TVS管焊接失误会引发什么故障？-ASIM阿赛姆2025年09月22日 16:08
- ESD/TVS管焊接失误（虚焊、偏移、过热等）直接导致器件泄放路径中断或电气参数劣化，引发系统ESD防护失效、信号短路及芯片击穿，实测故障率最高提升35%，需通过X光检测、热成像及焊点金相分析精准定位缺陷。
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- [公司新闻]ESD管响应慢，怎样与TVS管配合优化防护？-ASIM阿赛姆2025年09月19日 16:51
- TVS管前置扛浪涌冲击（响应0.1ns），高分子ESD管后级精准钳位（响应0.2ns），通过电压梯度设计（Vclamp_TVS≤0.9×VBR_ESD）与≤5mm级联间距，将防护响应速度提升至0.3ns级。
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- [公司新闻]USB3.0接口ESD管选型要点有哪些？-深圳阿赛姆2025年09月18日 09:45
- 解析USB3.0接口ESD保护器件选型三大核心要点：超低结电容、精准钳位电压、高浪涌能力，附PCB布局规范、量产验证方案及推荐型号，直击信号衰减与静电失效痛点。
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- [公司新闻]高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办？-深圳阿赛姆2025年09月17日 15:29
- 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题！提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案，附4K摄像机整改实测数据。
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- [公司新闻]mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆2025年09月10日 17:31
- 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式。涵盖开关电源与射频电路选型参数对照表，并附IRF540N/2N7002等型号实测曲线验证。
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- [公司新闻]汽车电子TVS的ISO 16750-2浪涌测试失效分析-深圳阿赛姆2025年09月09日 14:13
- 本文解析TVS在汽车抛负载(Test A)、冷启动(Test B)测试中的典型失效模式，涵盖电压选型错误、热崩溃、引线熔断等6类故障机理，附整改案例及I-V曲线诊断方法
- 阅读（20）
- [公司新闻]多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆2025年09月08日 14:01
- ASIM阿赛姆多通道TVS阵列通过三维电磁屏蔽+纳米晶绝缘层，实现-50dB通道隔离度，在112G光模块应用中串扰电压降至8mV，比传统方案降低90%，满足IEEE802.3ck标准严苛要求。
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- [公司新闻]超薄封装TVS在可穿戴设备应用-ASIM阿赛姆2025年09月06日 16:51
- 深度解析0.4×0.2×0.1mm超薄封装TVS二极管在可穿戴设备中的关键技术：0.05pF结电容保障生物传感器精度，＜0.05μA漏电流优化功耗，±30kV ESD防护能力（IEC 61000-4-2）。包含柔性电路3D堆叠策略、多端口协同防护方案及-40℃~85℃温度循环验证，满足IPC-9701弯折测试与AEC-Q101标准要求。
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