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- [ESD二极管]DFN-2510封装2016年05月11日 15:01
- 阅读（4099）
- [高分子ESD]DFN-10封装2016年04月19日 10:18
- 阅读（2717）
- [高分子ESD]0603封装2016年04月19日 10:17
- 阅读（3274）
- [高分子ESD]0805封装2016年04月19日 10:17
- 阅读（823）
- [ESD二极管]SOD323封装2016年04月15日 16:24
- 阅读（4873）
- [高分子ESD]0402封装2016年04月15日 16:10
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- [公司新闻]TVS二极管差分端口共模浪涌防护方案-ASIM阿赛姆2025年12月27日 09:08
- 差分信号传输凭借优异的共模抑制能力成为高速接口主流方案，但共模浪涌能量可通过分布电容、寄生电感等路径耦合至信号线，对后端芯片构成威胁。TVS二极管差分端口共模浪涌防护需构建从能量泄放到精密钳位的完整架构，确保共模能量有效疏导至地。
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- [公司新闻]ESD管HDMI端口信号完整性影响评估：量化分析与工程实践2025年12月25日 18:14
- 在HDMI接口的ESD防护设计中，信号完整性评估已成为决定产品能否通过认证的关键环节。ESD保护器件的寄生参数会直接影响TMDS差分对的阻抗连续性、插入损耗和眼图裕度。
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- [公司新闻]电源线路防护：功率耗散与降额设计2025年12月18日 15:49
- 从电网传导的雷击浪涌（差模2kV/共模4kV）、工业设备的负载切换瞬态到新能源汽车的电池系统波动，每一次威胁都携带焦耳级的能量。防护器件不仅要"扛住"瞬时冲击，更要在纳秒至毫秒级时间内将能量泄放，并将钳位电压控制在被保护电源芯片的耐压范围内。
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- [公司新闻]系统级ESD设计：分层防护与器件协同2025年12月17日 16:12
- 在现代电子系统中，ESD防护已从单一器件的"单打独斗"演进为多级协同的"体系作战"。面对USB4.0、PCIe 5.0等高速接口的静电威胁，以及汽车电子、工业控制等领域严苛的浪涌环境，仅靠一颗TVS二极管已无法提供可靠保护。实践证明，系统级ESD设计必须构建分层防护架构，实现器件间的精密协同，才能将失效率真正降低至ppm级别。
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- [公司新闻]阿赛姆电子国产替代安世Nexperia TVS二极管方案2025年12月10日 14:27
- 在汽车电子、工业控制及高端消费电子领域，电路保护元器件的选择至关重要。TVS瞬态电压抑制二极管作为电源端口防护的第一道防线，其性能、可靠性与供应链稳定性直接关系到整个系统的安危。
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- [行业动态]电脑主机ESD整改案例-ASIM阿赛姆2025年11月18日 16:01
- 在不影响功能情况下，选择比原主板上双向ESD二极管导通电压更低双向ESD二极管同样可以更快导通泄放异常高压，以及产生对后极电路影响更小的残压。且增加后级电路上电阻阻值来分压经过ESD二极管后产生的残压。
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- [公司新闻]雷卯替代-阿赛姆电子ESD成国产化首选2025年10月28日 09:37
- 在产品布局方面，阿赛姆电子形成了完善且高度适配的器件矩阵，涵盖ESD静电保护二极管、TVS瞬态电压抑制二极管、二三极管、MOS管、共模电感以及磁珠保险丝等主流器件类型。这些产品在核心性能参数上严格遵循行业标准，部分关键指标甚至实现超越，能够在不改变原有电路设计的前提下实现“pin-to-pin”完美兼容替换，大幅降低客户替代门槛与设计成本。
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- [公司新闻]阿赛姆ESD二极管选型应用大全2025年10月15日 14:18
- 阿赛姆ESD器件的核心优势在于：通过超低结电容设计（典型值≤0.05pF）与AEC-Q101车规级可靠性验证，在48Gbps高速接口中实现插入损耗＜-1.8dB@24GHz的同时，提供±30kV ESD防护能力，满足HDMI 2.1/IEC 61000-4-2严苛标准。
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- [行业动态]ESD管寄生电容，对共模电感效能有何干扰？-ASIM2025年10月10日 17:17
- ESD管寄生电容≥1pF时导致共模电感阻抗衰减31%（100MHz实测），阿赛姆0.3pF超低电容技术（DFN2510-10L）使共模阻抗提升62.7%，150MHz EMI抑制增强60.7%（45dB衰减），彻底解决高频滤波效能劣化问题。
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- [公司新闻]ESD管、TVS管焊接失误会引发什么故障？-ASIM阿赛姆2025年09月22日 16:08
- ESD/TVS管焊接失误（虚焊、偏移、过热等）直接导致器件泄放路径中断或电气参数劣化，引发系统ESD防护失效、信号短路及芯片击穿，实测故障率最高提升35%，需通过X光检测、热成像及焊点金相分析精准定位缺陷。
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- [公司新闻]ESD管响应慢，怎样与TVS管配合优化防护？-ASIM阿赛姆2025年09月19日 16:51
- TVS管前置扛浪涌冲击（响应0.1ns），高分子ESD管后级精准钳位（响应0.2ns），通过电压梯度设计（Vclamp_TVS≤0.9×VBR_ESD）与≤5mm级联间距，将防护响应速度提升至0.3ns级。
- 阅读（41）
- [公司新闻]USB3.0接口ESD管选型要点有哪些？-深圳阿赛姆2025年09月18日 09:45
- 解析USB3.0接口ESD保护器件选型三大核心要点：超低结电容、精准钳位电压、高浪涌能力，附PCB布局规范、量产验证方案及推荐型号，直击信号衰减与静电失效痛点。
- 阅读（69）
- [公司新闻]高速接口ESD管结电容过高影响信号怎么办？-深圳阿赛姆2025年09月17日 15:29
- 解决USB/HDMI高速接口因ESD结电容导致的信号衰减问题！提供超低电容器件选型、π型滤波电路设计、PCB布局三大方案，附4K摄像机整改实测数据。
- 阅读（22）
- [公司新闻]mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆2025年09月10日 17:31
- 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式。涵盖开关电源与射频电路选型参数对照表，并附IRF540N/2N7002等型号实测曲线验证。
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