高分子ESD,emc电磁兼容,esd静电防护,esd系统

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122025-09

MOS管高频开关时，怎样减少功率损耗？-深圳阿赛姆 深度解析高频MOSFET损耗构成（公式拆解+实测数据），提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
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112025-09

MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制，基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量（EAS）的测试方法（单脉冲UIS电路）与设计规范，提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案，解决V(BR)DSS超限引发...
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102025-09

mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式...
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092025-09

汽车电子TVS的ISO 16750-2浪涌测试失效分析-深圳阿赛姆 本文解析TVS在汽车抛负载(Test A)、冷启动(Test B)测试中的典型失效模式，涵盖电压选型错误、热崩溃、引线熔断等6类故障机理，附整改案例及I-V曲线诊断方法
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082025-09

多通道集成TVS阵列的串扰抑制-深圳阿赛姆 ASIM阿赛姆多通道TVS阵列通过三维电磁屏蔽+纳米晶绝缘层，实现-50dB通道隔离度，在112G光模块应用中串扰电压降至8mV，比传统方案降低90%，满足IEEE802.3ck标准严苛要求。
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062025-09

超薄封装TVS在可穿戴设备应用-ASIM阿赛姆 深度解析0.4×0.2×0.1mm超薄封装TVS二极管在可穿戴设备中的关键技术：0.05pF结电容保障生物传感器精度，＜0.05μA漏电流优化功耗，±30kV ESD防护能力（IEC 61000-4-2）。包含柔性电路3D堆叠策略、多端口协同防护方案及-40℃~...
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052025-09

车规级ESD选型纠结？关键参数帮你理清思路-ASIM阿赛姆 车规级ESD选型需同步满足 AEC-Q101可靠性、ISO 10605防护等级、电路参数匹配性三大维度。
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032025-09

共模电感选型难？关键参数解读助你精准挑选-ASIM阿赛姆 深入解析共模电感6大核心参数（阻抗频率特性/饱和电流Isat/温升曲线），提供电源接口、高速总线、电机驱动三大场景选型决策树，揭露磁饱和失效等6大设计陷阱，附赠ANSYS仿真优化方案。助力工程师精准选择抗饱和、低DCR、宽频抑...