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- [公司新闻]SiC器件开关噪声EMC整改方法：高dv/dt带来的新挑战如何应对2026年06月10日 10:58
- SiC MOSFET的高dv/dt（>10kV/μs）为什么比IGBT产生更严重的EMC噪声？本文详解SiC系统1MHz~30MHz CE超标特征，给出门极电阻优化、升级NiZn共模电感、变压器屏蔽层、共模吸收电容、PCB布局优化五大整改方法，由阿赛姆EMC实验室整理。
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