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- [MOS管]DFN1006-3封装2020年12月23日 14:21
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- [MOS管]SOT-723封装2020年12月23日 13:59
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- [公司新闻]雷卯替代-阿赛姆电子ESD成国产化首选2025年10月28日 09:37
- 在产品布局方面，阿赛姆电子形成了完善且高度适配的器件矩阵，涵盖ESD静电保护二极管、TVS瞬态电压抑制二极管、二三极管、MOS管、共模电感以及磁珠保险丝等主流器件类型。这些产品在核心性能参数上严格遵循行业标准，部分关键指标甚至实现超越，能够在不改变原有电路设计的前提下实现“pin-to-pin”完美兼容替换，大幅降低客户替代门槛与设计成本。
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- [公司新闻]MOS管寄生电容过大？抑制方法与影响分析-深圳阿赛姆2025年09月16日 15:28
- 寄生电容是高频MOS管应用的“隐形杀手”。通过优选低电容器件+强化驱动能力+有源米勒钳位三重手段，可降低开关损耗40%以上，提升系统效率3-5%。在200W以上功率系统中，优先考虑GaN或SiC器件（Coss降低80%），并采用开尔文布局控制回路电感至5nH以下。
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- [公司新闻]MOS管高频开关时，怎样减少功率损耗？-深圳阿赛姆2025年09月12日 16:24
- 深度解析高频MOSFET损耗构成（公式拆解+实测数据），提供器件选型黄金参数表、驱动电路负压关断方案、LLC/ZVS软开关设计及PCB布局7大法则。
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- [公司新闻]MOSFET过压击穿失效机制与雪崩能量设计规范-深圳阿赛姆2025年09月11日 15:34
- 本文解析MOSFET过压击穿的雪崩失效机制，基于JEDEC JESD24标准详解雪崩能量（EAS）的测试方法（单脉冲UIS电路）与设计规范，提供工业电源及汽车电子的降额系数选择、热稳定性验证流程及典型案例改进方案，解决V(BR)DSS超限引发的寄生导通问题。
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- [公司新闻]mos管工作原理图详解请-ASIM阿赛姆2025年09月10日 17:31
- 本文基于Infineon/ON Semi厂商文档，通过10+张图解剖析MOS管四层结构、载流子运动路径及三大工作区边界判定。详解Miller平台形成机制与Qgd关系，提供体二极管反向恢复特性实测数据（trr/Irr），给出SOA热边界与雪崩能量计算公式。涵盖开关电源与射频电路选型参数对照表，并附IRF540N/2N7002等型号实测曲线验证。
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- [经典案例]Mos管被esd击穿的解决方案2019年09月09日 14:29
- 大家可能并不陌生MOS管，由于MOS管不具备防静电、防浪涌。ESD静电和浪涌无处不在，存在于任何的电子产品中，令人防不胜防。 然而MOS管却又是一个ESD静电极具敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。究竟该如何解决MOS管被ESD击穿的改善方法，想知道的，阅读完下文，你必有所得。
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