TVS瞬态抑制二极管选型指南
tvs(transientvoltagesuppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个pn结或多个pn结集成的器件。tvs有单向与双向之分,单向tvs一般应用于直流供电电路,双向tvs应用于电压交变的电路。如图1所示,应用于直流电路时单向tvs反向并联于电路中,当电路正常工作时,tvs处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到tvs(雪崩)击穿电压时,tvs迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,tvs阻值又恢复为高阻态。
tvs瞬态抑制二极管的特点
1、tvs内部芯片为半导体硅材料,采用半导体工艺制成,具有较高的可靠性。
2、tvs具有较低的动态内阻,钳位电压低。
3、tvs较其他过压保护器件,具有较快的响应速度。
4、tvs电压精度高,击穿电压一般为±5%的偏差,在特殊应用场合,还可以通过工艺改善或参数筛选达到更高的精度。
5、tvs封装多样化,贴片封装有sod-123、sma(do-214ac)、smb(do-214aa)、smc(do-214ab)、do-218ab等,插件封装有do-41、do-15、do-201、p-600等。
6、tvs在10/1000μs波形下瞬态功率可达200w~30000w,甚至更高。在8/20μs波形下瞬态峰值脉冲电流可达3ka、6ka、10ka、16ka、20ka甚至更高。工作电压范围可从3.3v~600v,甚至更高。
tvs瞬态抑制二极管的典型应用
tvs由于具有响应速度快,钳位电压低,电压精准等优点,因而应用于对保护器件要求较高的场合,如汽车电子、工业控制、照明,通信等行业,如dc电源线,rs485接口,通信电源,i/o口等。图4至图6是一些典型应用案例。
tvs瞬态抑制二极管的电性参数
1、vrwm截止电压,ir漏电流:vrwm-截止电压,tvs的最高工作电压,可连续施加而不引起tvs劣化或损坏的最大的直流电压或交流峰值电压。在vrwm下,tvs呈现高阻态,认为是不工作的,即是不导通的。
ir-漏电流,也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过tvs的最大电流。tvs的漏电流一般是在截止电压下测量,对于某一型号tvs,ir应在规定值范围内。
vrwm和ir测试回路如图7所示,对tvs两端施加电压值为vrwm,从电流表中读出的电流值即为tvs的漏电流ir,其中虚线框表示单向tvs测试回路。如对于我司型号为smbj5.0a的tvs,当加在tvs两端的电压为5vdc时,流过tvs的电流应小于800μa。对于同功率和同电压的tvs,在vrwm≤10v时,双向tvs漏电流是单向tvs漏电流的2倍。
2、vbr击穿电压:击穿电压,指在v-i特性曲线上,在规定的脉冲直流电流it或接近发生雪崩的电流条件下测得tvs两端的电压。
对于低压tvs,由于漏电流较大,所以测试电流选取的it较大,如smbj5.0a,测试电流it选取10ma。vbr测试电路如图8所示,使用脉冲恒流源对tvs施加it大小的电流时,读出tvs两端的电压则为击穿电压。电流施加时间应不超过400ms,以免造成tvs受热损坏。测量时,vbr落在vbrmin.和vbrmax.之间视为合格品。
3、ipp峰值脉冲电流/vc钳位电压:ipp,峰值脉冲电流,给定脉冲电流波形的峰值。tvs一般选用10/1000μs电流波形。
vc,钳位电压,施加规定波形的峰值脉冲电流ipp时,tvs两端测得的峰值电压。
ipp及vc是衡量tvs在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数,这两个参数是相互联系的。对于tvs在防雷保护电路中的钳位特性,可以参考vc这个参数。对于相同型号tvs,在相同ipp下的vc越小,说明tvs的钳位特性越好。tvs的耐脉冲电流冲击能力可以参考ipp,同型号的tvs,ipp越大,耐脉冲电流冲击能力越强。
tvs选型注意事项
1.最高工作电压vrwm
在电路正常工作情况下,tvs应该是不工作的,即处于截止状态,所以tvs的截止电压应大于被保护电路的最高工作电压。这样才能保证tvs在电路正常工作下不会影响电路工作。但是tvs的工作电压高低也决定了tvs钳位电压的高低,在截止电压大于线路正常工作电压的情况下,tvs工作电压也不能选取的过高,如果太高,钳位电压也会较高,所以在选择vrwm时,要综合考虑被保护电路的工作电压及后级电路的承受能力。
2.tvs功率选型
产品的额定瞬态功率应大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率,具体可参照如下计算方法。
3.vc钳位电压
tvs钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压,大多数tvs的vc与vbr及ipp都成正比。对于同一功率等级的tvs,其击穿电压越高vc也越高。
4.ir漏电流
在一些低功耗电路或高精度采集电路中,ir过大可能导致电路功耗过大或信号的采集精度超标。因低压(vrwm<10v)tvs的ir较大,如果后级电路耐受能力较强的话,尽量选择10v或以上的tvs;如果后级电路耐受能力不足,需要选择小ir且低电压的tvs,我司也可以提供这类产品。
5.结电容
TVS的结电容一般在几十皮法至几十纳法。对于同一功率等级的tvs,其电压越低,电容值越大。在一些通信线路中,要注意tvs的结电容,不能影响电路正常工作。
6.封装形式
tvs的功率从封装形式上也可以体现,封装体积越小,其功率一般也越小,因为tvs的芯片面积直接决定了tvs瞬态抑制二极管产品的功率等级。电路工程师可根据电路设计及测试要求选择合适封装的tvs器件。
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